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高熵合金(High entropy alloy, HEAs)以其新穎的合金設(shè)計(jì)理念和優(yōu)異的力學(xué)性能自問世以來受到了廣泛的關(guān)注。CoCrFeNiMn作為一種具有代表性的高熵合金,已經(jīng)得到了廣泛的研究。這種高熵合金的一個(gè)有趣的特性是其在低溫下的斷裂韌性,使其成為低溫結(jié)構(gòu)材料的候選材料。目前高熵合金的制備主要依賴于傳統(tǒng)的熔融或鑄造方法,在成本和實(shí)際應(yīng)用效率方面存在很大的局限性。增材制造(Additive Manufacturing, AM)基于其凈形制造能力和設(shè)計(jì)自由度的優(yōu)勢,可以直接從CAD模型中獲取具有復(fù)雜幾何形狀的零件。在各種AM方法中,選擇性激光熔煉(SLM)技術(shù)得到了越來越廣泛的應(yīng)用,并被用于工程材料的制備。
新加坡制造技術(shù)學(xué)院和悉尼大學(xué)的Zhu和An等人通過SLM成功地制備了一種近全致密CoCrFeNiMn高熵合金。所構(gòu)建的樣品呈現(xiàn)出分層結(jié)構(gòu),包括熔池、柱狀顆粒、亞微米細(xì)胞結(jié)構(gòu)和位錯(cuò)(圖1)。與傳統(tǒng)方法相比,在預(yù)制試樣中獲得了高強(qiáng)度和高延性的優(yōu)異組合(圖2)。
圖1 (a) OM,(b) 正面SEM圖像,(c) 蜂窩結(jié)構(gòu)的SEM圖像,(d) 正面的EBSD圖,(e) 疊加HAGBs(藍(lán)線)和LAGBs(紅線)的EBSD圖像質(zhì)量圖,(f) 正面KAM圖,(g) 具有SAED模式的蜂窩結(jié)構(gòu)的明場STEM圖像,(h) 由(g)中的正方形示出區(qū)域的明場STEM圖像和該區(qū)域的元素分布圖
圖2 (a) EBSD圖,(b) KAM圖,(c d) 預(yù)制試樣拉伸斷裂的明場STEM圖
定量分析表明,位錯(cuò)硬化對材料強(qiáng)度的提高起著重要作用,而非晶界強(qiáng)化。良好的塑性與復(fù)雜位錯(cuò)活動(dòng)控制的穩(wěn)定應(yīng)變硬化有關(guān)。
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